У Samsung готовы впервые в мире 3-нанометровые транзисторы GAAFET
Сейчас компания TSMC инвестирует значительные средства в 5-нанометровый техпроцесс, который, по неофициальным данным, будет использован для выпуска SoC Apple A14 — основы смартфона iPhone 12. Наиболее передовым техпроцессом, освоенным TSMC и Samsung в серийном производстве, является 7-нанометровый.
Она добилась успеха в разработке 3-нанометрового техпроцесса. По сообщению источника, ссылающегося на корейское агентство Maeil Economy, компания Samsung не отстает от конкурента на рынке полупроводникового производства. Этот шаг является частью стратегии Samsung на пути к амбициозной цели — стать крупнейшим в мире производителем полупроводниковой продукции к 2030 году.
Появляется возможность уменьшить размеры транзистора и повысить энергетическую эффективность. GAAFET отличается от FinFET тем, что канал окружен затвором не с трех сторон, а с четырех, за счет чего уменьшаются утечки и улучшается управление каналом.
Судя по последним новостям, реализация планов идет успешно. Год назад компания Samsung рассказала о планах развития технологии полупроводникового производства, которыми предусмотрено начать серийный выпуск продукции по 3-нанометровой технологии GAAFET в 2021 году.
Она добилась успеха в разработке 3-нанометрового техпроцесса. По сообщению источника, ссылающегося на корейское агентство Maeil Economy, компания Samsung не отстает от конкурента на рынке полупроводникового производства. Этот шаг является частью стратегии Samsung на пути к амбициозной цели — стать крупнейшим в мире производителем полупроводниковой продукции к 2030 году.
Сейчас компания TSMC инвестирует значительные средства в 5-нанометровый техпроцесс, который, по неофициальным данным, будет использован для выпуска SoC Apple A14 — основы смартфона iPhone 12. Наиболее передовым техпроцессом, освоенным TSMC и Samsung в серийном производстве, является 7-нанометровый.
Появляется возможность уменьшить размеры транзистора и повысить энергетическую эффективность. GAAFET отличается от FinFET тем, что канал окружен затвором не с трех сторон, а с четырех, за счет чего уменьшаются утечки и улучшается управление каналом.
Судя по последним новостям, реализация планов идет успешно. Год назад компания Samsung рассказала о планах развития технологии полупроводникового производства, которыми предусмотрено начать серийный выпуск продукции по 3-нанометровой технологии GAAFET в 2021 году.
Дата публикации: 04.01.2020
Ещё новости
27.08.2022 Россияне стали меньше платить за смартфоны и ноутбуки. Снижение среднего чека связано с выгодными ценами и расширением ассортимент доступных моделей
Эти данные содержаться в исследовании аналитического ресурса «Чек Индекс»: эксперты сравнивали данные, собранные с 1 по 20 августа этого и прошлого годов. Средний чек россиян на покупку смартфонов ока...
27.08.2022 Это стало полной неожиданностью. Марсоход Perseverance обнаружил на дне бывшего озера магматические породы
По словам Фарли, происхождение магматических пород Езеро остается загадкой, поскольку в кратере или рядом с ним нет явных вулканических образований. «Мы были очень рады найти магматические породы», — ...
27.08.2022 Флагманы Samsung получат Android 13 и One UI 5.0 уже совсем скоро. Релиз финальной версии ПО ожидается в октябре
Первоначально обновление станет доступно для флагманских аппаратов линейки Galaxy S22. Источник говорит, что релиз может состояться 17 либо 19 октября. На данный момент One UI 5.0 доступна на неко...
27.08.2022 Полиция задержала жительницу Австралии в ее день рождения — ей исполнилось 100 лет
Но к тому же она была и мечтательницей, и десятилетиями желала быть арестованной правоохранительными органами. Жительница Австралии Джин Бикентон всю свою (очень долгую) жизнь была сознательной и зако...
27.08.2022 Две карты SIM, экран 2K, четыре динамика и поддержка Widevine L1. Представлен планшет Chuwi HiPad Max
В основе устройства лежит SoC Snapdragon 680, то есть поддержки 5G тут нет. Новинка стоит 400 долларов, хотя первые пару дней после старта продаж её можно было купить всего за 200 долларов. Экран диаг...
Все новости